靜 電 放 電 模 式

目前工業(yè)界大致定義了以下三種常見(jiàn)靜電放電模式：

HBM人體模式：

人體模式是ESD模型中建立早和主要的模型之一, 在IC制造和使用過(guò)程中, 人體和IC接觸的機(jī)會(huì)多, 由人體靜電損傷造成IC失效的比例也大, 而且在實(shí)際應(yīng)用中, 工業(yè)界也大多采用HBM模式來(lái)標(biāo)注IC的靜電等級(jí). 人體模式指人體在地上走動(dòng)、摩擦或者其他因素在人體上已積累了靜電, 當(dāng)此人直接接觸IC時(shí), 人體上的靜電便會(huì)經(jīng)IC管腳進(jìn)入IC內(nèi), 再由IC 放電到地. 此放電過(guò)程會(huì)在短至幾百納秒的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流, 此電流會(huì)把IC內(nèi)部元件燒毀.

MM機(jī)器放電模式：

機(jī)器本身積累了靜電, 當(dāng)此機(jī)器接觸IC時(shí), 該靜電便經(jīng)過(guò)IC 管腳放電. 金屬制造的機(jī)器放電等效電阻極小, 因此其放電過(guò)程更短, 在幾納秒到幾十納秒之內(nèi)會(huì)有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生, 因此對(duì)元件的破壞力更大.

CDM充電元器件模式：

因摩擦或接觸到其他物體的靜電電荷, IC內(nèi)部積累了靜電, 但在靜電積累的過(guò)程中IC沒(méi)有受傷. 此帶有靜電的IC在處理過(guò)程中, 當(dāng)其pin直接接地或間接接地時(shí), 靜電便會(huì)經(jīng)過(guò)pin從IC的內(nèi)部釋放, 從而造成放電現(xiàn)象. 此種模式的放電時(shí)間更短, 放電上升時(shí)間小于1nS, 尖峰電流15安培, 持續(xù)時(shí)間小于10納秒.

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靜 電 放 電 測(cè) 試 方 法

I/O與VDD/VSS之間 ----------------------------------- 4 種測(cè)試組合

Pin-to-Pin ----------------------------------------------- 2 種測(cè)試組合

VDD-to-VSS -------------------------------------------- 2 種測(cè)試組合

請(qǐng)參閱下方: 各組合之等效電路示意圖